Маркировка микросхем памяти Hynix Samsung Infineon

Маркировка микросхем Hynix: HY AA В CC DD E F G H I J — KK L
(в связи с уменьшением размеров чипов маркировка может быть расположена в две строки)

HY -> Hynix Memory, говорит о том, что микросхема произведена компанией Hynix
AA -> Указывает тип памяти, принимает одно из следующих значений:
5D - DDR SDRAM;
5Q — GDDR2 SDRAM;
5R — GDDR3 SDRAM
В -> Указывает напряжение питания VDD и VDDQ, принимает одно из следующих значений:
V — 3,3 В, 2,5 В;
U — 2,5 В, 2,5 В;
W — 2,5 В, 1,8 В;
S — 1,8 В, 1,8 В
CC -> Указывает емкость чипа и время подзарядки,
nК - обозначает число столбцов в адресной матрице чипа памяти. Адресная матрица не всегда имеет квадратный вид, потому что на подзарядку чипа с меньшим числом строк уходит меньше времени, что увеличивает быстродействие: 32 — 32 Мбит, 4К, 32 мс; 64 — 64 Мбит, 4К, 64 мс; 66 — 64 Мбит, 2К, 16 мс; 28 — 128 Мбит, 4К, 64 мс; 26 — 128 Мбит, 4К, 32 мс; 56 — 256 Мбит, 8К, 64 мс; 57 — 256 Мбит, 4К, 32 мс; 58 — 256 Мбит, 8К, 32 мс; 12 — 512 Мбит, 8К, 64 мс; 1G — 1 Гбит, 8К, 64 мс
DD -> Указывает организацию памяти, принимает одно из следующих значений:
16 — х16; 32 — х32
E -> Указывает число банков памяти, принимает одно из следующих значений:
1 — 2 банка; 2 — 4 банка; 3 — 8 банков
F -> Указывает тип интерфейса памяти, принимает одно из следующих значений:
1 — SSTL_3; 2 — SSTL_2; 3 — - SSTL_18; 4 — Reserved; 5 — POD_18
G -> Поколение памяти, принимает одно из следующих значений:
пробел — первое поколение,
А — второе поколение,
В — третье поколение,
С — четвертое поколение,
D — пятое поколение
H -> Тепловыделение, принимает следующие значения:
пробел — нормальное,
L - пониженное
I -> Тип корпусировки, принимает следующие значения:
Т — TSOP II, Q — LQFP, F — FBGA, FM — MCP FBGA
J -> Материал корпуса, принимает следующие значения:
пробел — нормальный,
L — не содержащий свинца,
Н — не содержащий галогенов,
R — не содержащий свинца и галогенов
KK -> КК — скорость (время доступа), принимает следующие значения:
6 — 6ns, 166 МГц; 55 — 5,5ns, 183 МГц; 5 — 5ns, 200 МГц; 45 — 4,5ns, 222 МГц; 43 — 4,3ns, 233 МГц; 4 — 4ns, 250 МГц; 36 — 3,6ns, 275 МГц; 33 — 3,3ns, 300 МГц; 3 — 3ns, 333 МГц; 28 — 2,8ns, 350 МГц; 26 — 2,6ns, 375 МГц; 25 — 2,5ns, 400 МГц; 22 — 2,2ns, 450 МГц; 2 — 2ns, 500 МГц; 18 — 1,8ns, 550 МГц; 16 — 1,6ns, 600 МГц; 14 — 1,4ns, 700 МГц; 12 — 1,2ns, 800 МГц.
Все частоты приведены в SDR, реальная частота DDR=SDRx2. Стоит отметить, что частота памяти по умолчанию не всегда совпадает с той, которая указана на микросхеме
L -> Температура, принимает следующие значения:
I — индустриальный стандарт (-40°С...80°С); E — extended стандарт (-25°С...+80°С)

Маркировка микросхем Samsung: K4ABBCCDEF — GHIJ

К -> Означает, что перед вами микросхема памяти
4 -> Означает, что перед вами микросхема типа DRAM
A -> Указывает тип памяти, принимает буквенные значения от А до Z, каждому из которых соответствует определенный тип памяти. На памяти видеокарт вы можете встретить следующие буквы:
D — DDR SGRAM;
G — SGRAM;
N — DDR SGRAM II;
V — VRAM (однопортовая);
W — WRAM (двухпортовая).
Расшифровку остальных можно уточнить на сайте Samsung по адресу www.samsung.com

BB -> Указывает емкость чипа и время подзарядки, принимает как цифровые, так и цифро-буквенные двухзначные значения. Приведем некоторые из них:
26 — 128 Мбит 4К, 32 мс; 27 — 128 Мбит 16К, 32 мс; 28 — 128 Мбит 4К, 64 мс; 62 — 64 Мбит 2К, 16 мс; 63 — 64 Мбит 2К, 32 мс; 64 — 64 Мбит 4К, 64 мс
CC -> Указывает организацию, принимает двузначные значения. Вот некоторые из них:
16 — х16; 32 — х32; 64 — х64
D -> Указывает число банков памяти. Принимает одно из шести числовых значений:
1 — 1 банк; 2 — 2 банка; 3 — 4 банка; 4 — 8 банков; b — 16 банков; 6 — 32 банка
E -> Указывает тип интерфейса памяти, VDD и VDDQ. Принимает как числовые, так и буквенные однозначные значения, некоторые из которых приведены ниже:
6 — SSTL-3, 3,3 В, 3,3 В; 7 — SSTL-2, 3,3 В, 2,5 В; 8 — SSTL-2, 2,5 В, 2,5 В; 9 — RSL, 2,5 В, 2,5 В; А — SSTL, 2,5 В, 1,8 В; Q — SSTL, 1,8 В, 1,8 В
F -> Указывает поколение памяти, принимает буквенные значения, некоторые из которых приведены ниже:
М — первое поколение;
А — второе поколение;
В — третье поколение;
С — четвертое поколение;
D — пятое поколение;
Е — шестое поколение;
F — седьмое поколение
G -> G — указывает тип упаковки. Принимает следующие значения в зависимости от типа памяти (см. значение А):
для DDR SGRAM:
Q — TQFP; G — FBGA; H — WBGA; J — FBGA (DDP); Т — TSOP2-400; L — TSOP2-400(LF); U — TQFP(LF); V — FBGA(LF); P — FBGA(LLDP); для SGRAM: P — QFP; Q — TQFP; для VRAM: H — SSOP; для WRAM: P — QFP;
для DDR SGRAM II:
G — FBGA, E — FBGA (LF, DDP)
H -> Температура и потребляемая мощность, принимает как буквенные, так и числовые значения, некоторые из которых приведены ниже:
А — Automotive, Normal; С — Commercial, Normal; L — Commercial, Low; В — Commercial, Super Low; E — Extended, Normal; N — Extended, Low; U — Extended, Super Low; 1 — Industrial, Normal; P — Industrial, Low; D — Industrial, Super Low; G — Extended, Low, PASR & TCSR, Г — Industrial, Super Low, PASR & TCSR
IJ -> Скорость (время доступа), принимает следующие значения в зависимости от типа памяти: VRAM и WRAM: 80 — 8ns; 70 — 7ns; 60 — 6ns; 55 — 5,5ns; 50 — 5ns; DDR SGRAM: 21 — 2,1ns (475 МГц); 22 — 2,2ns (450 МГц); 25 — 2,5ns; 30 — 3ns; 33 — 3,3ns; 35 — 3,5ns; 36 — 3,6ns; 3N — 3,32ns (301 МГц); 40 — 4ns; 45 — 4,5ns; 50 — 5ns; 55 — 5,5ns; 58 — 5,8ns; 60 — 6ns; 66 — 6,6ns; 67 — 6,7ns; 70 — 7ns; 80 — 8ns; 90 — 9ns; 2А — 2,86ns (350 МГц); 2В — 2,94ns (340 МГц); 2С — 2,66ns (375 МГц); DDR SGRAM II: 12 — 1,25ns; 14 — 1,429ns; 16 — 1,667ns; 18 — 1,818ns; 1К — 1,996ns; 20 — 2ns; 22 — 2,2ns; 25 — 2,5ns; 30 — 3ns; 33 — 3,3ns

Маркировка микросхем Infineon: AAA BB С DDD ЕЕ F G H — JJ

AAA -> Префикс, принимает одно из двух значений: HYB — стандартный префикс Infineon; HYE — префикс для микросхем,
поддерживающих расширенный температурный стандарт (-25°С...+85°С)
BB -> Указывает VDD и VDDQ, принимает одно из двух значений: 25 — 2,5 В VDD, 2,5 или 1,8 В VDDQ; 39 — 3,3 В VDD и VDDQ
С -> Указывает семейство памяти, для видеопамяти принимает одно-единственное значение — D, указывающее,
что микросхема принадлежит к семейству DDR SDRAM или графической памяти
DDD -> Указывает емкость чипа, принимает следующие значения: 128 — 128 Мбит, 256 — 256 Мбит, 512 — 512 Мбит
ЕЕ -> Указывает организацию памяти, принимает следующие значения: 80 — х8, 16 — х16, 32 — х32
F -> Указывает интерфейс памяти, принимает следующие значения: 0 — LV-TLL; 3 — Matched Impendence 2,5 VDDQ; 5 — Matched Impendence 1,8 VDDQ
G -> Обозначает ревизию продукта
H -> Тип упаковки, принимает одно из двух значений: Т — TSOP, С — Chip Size Package
JJ -> Скорость (время доступа), принимает следующие значения: 8 — 8ns, 125 МГц; 7.5 — 7,5ns, 133 МГц; 5 — 5ns, 200 МГц; 4.5 — 4,5ns, 222 МГц; 3.6 — 3,6ns, 275 МГц; 3.3 — 3,3ns, 300 МГц; 3.0 — 3ns, 333 МГц; 2.8 — 2,8ns, 350 МГц; 2.5 — 2,5ns, 400 МГц; 2.2 — 2,2ns, 450 МГц