Всё то-же самое
Сначала смотрим на предмет явных внешних повреждений (обугливаний, распуханий ....)
Потом на предмет явных (мультиметром проверяем все силовые полупроводники, предохраны, терморезисторы)
Потом на предмет неявных : запитываем шимку от отдельного источника через диод , смотрим есть-ли импульсы на базах-затворах ключей, выходах шимки
Ну и наконец подаём через ЛАТР постепенно напругу на вход, и мониторим шим и выходные напряжения.
Источник в дежурке проверяется ЛАТР-ом .
Вроде ничего не забыл, если что дополняйте 8)
Всё то-же самое
Сначала смотрим на предмет явных внешних повреждений (обугливаний, распуханий ....)
Потом на предмет явных (мультиметром проверяем все силовые полупроводники, предохраны, терморезисторы)
Потом на предмет неявных : запитываем шимку от отдельного источника через диод , смотрим есть-ли импульсы на базах-затворах ключей, выходах шимки
Ну и наконец подаём через ЛАТР постепенно напругу на вход, и мониторим шим и выходные напряжения.
Источник в дежурке проверяется ЛАТР-ом .
Вроде ничего не забыл, если что дополняйте 8)