В схеме этой платы было предусмотрено програмное увеличение напряжения на памяти. Эти детали на плате не установлены, т.к. оно не работает при указаных на схеме номиналах R1009 R1010. Соответственно, от BIOS ожидать чего то не приходится.
Я делал так: на место R1009 (посредине между электролитами ЕС46 и ЕС51) ставим 910 ом (маркировки 911/93А) или 820 ом (821/89А).
Верхняя площадка D50: обрезается проводник уходящий в ЮМ, и соединяется с землей. На место D50 - многооборотный подстроечный резистор на 5...10к. Получится регулировка от 3.35 до 3.6х в.
С 820 ом регулировка немного шире.
В схеме этой платы было предусмотрено програмное увеличение напряжения на памяти. Эти детали на плате не установлены, т.к. оно не работает при указаных на схеме номиналах R1009 R1010. Соответственно, от BIOS ожидать чего то не приходится.
Я делал так: на место R1009 (посредине между электролитами ЕС46 и ЕС51) ставим 910 ом (маркировки 911/93А) или 820 ом (821/89А).
Верхняя площадка D50: обрезается проводник уходящий в ЮМ, и соединяется с землей. На место D50 - многооборотный подстроечный резистор на 5...10к. Получится регулировка от 3.35 до 3.6х в.
С 820 ом регулировка немного шире.
Удачи!