помогите опознать элементы на 560ti

Постараюсь.

Да, в общем схемотехника напоминает повышающий преобразователь (не только в БП можно такое найти).

Одного будет достаточно. Если бы последующие действия как-то кардинально влияли бы на ситуацию, то вам было бы предложено больше пунктов в списке.

Если почитать учебники аля из раздела электротехники (хотя можно и в разделе физики то же самое откопать, но в электротехнике оно обычно лучше показывается), то можно обнаружить несколько практических выводов, касающихся "поведения" реактивных элементов в переходных процессах:
1. ток, протекающий через индуктивность, не может измениться мгновенно;
2. напряжение на выводах конденсатора не может измениться мгновенно.
Т.е. сразу после мгновенного закрытия транзистора ток в индуктивности будет иметь значение, которое равно величине тока непосредственно перед закрытием транзистора. Но пути протекания тока в том же направлении уже нет - транзистор закрылся, его обратный диод подключен так, что ток через него в том же направлении идти не может, других элементов по условиям задачи нет.
Но к величине напряжения на выводах индуктивности никаких особых ограничений не накладывается - напряжение моежет изменяться мгновенно. ЭДС самоиндукции будет пытаться обеспечить протекание тока через индуктивность в том же направлении. В результате между стоком и истоком транзистора будет приложено довольно таки большое (если идеализировать, то бесконечно большое) напряжение. Результат будет печален для транзистора.
В реальности конкретная величина напряжения будет зависеть от скорости закрытия транзистора, например. Но суть особо не изменится - опасность пробоя сохраняется.

Мда... Ну тогда достанется и шиму или драйверу через разъем PHASE.

Принято. И когда я такое обсуждение пропустил...

....

Мне вот интересно все же какое напряжение будет на стоке этого транса в нашем случае. Предположим, что напряжение на дросселе с внешней стороны 1В, частота переключения транзистора 300кГц, скважность импульсов меандр, индуктивность 1,2 μH. Как посчитать?

Если уж брать относительно реальный преобразователь, то скважность не будет равна 2. При указанных параметра - около 12.

Было бы неплохо еще знать сопротивление транзистора в открытом состоянии и активное сопротивление дросселя, а также время, за которое драйвер успеет закрыть транзистор (в идеале еще неплохо было бы знать, по какому закону будет изменяться сопротивление транзистора в процессе закрытия, но можно условно принять линейный закон изменения).
Далее описываете поведение цепи в двух режимах - время открытого состояния транзистора (время от 0 до t₁) и время, за которое транзистор закрывается (от t₁ до t₂). Начальное состояние тока через индуктивность I₀=0. Описывать поведение цепи можно разными способами - в зависимости от того, какой вам удобнее использовать. Самый примитивный вариант - дифференциальные уравнения. Цепь первого порядка - все просто и легко.

Пока это не для моего ума. Я думал Вы прикините навскидку.

Дык навскидку - пробьет.

Изучаю даташит на шим APW7165. Возникают мысли что будет при страбатывании защиты Over-Current Protection и Under-Voltage Protection. В случае срабатывания защиты отключаются сразу два транзистора. Что будет с напряжением на дросселе в этом случае?

Схему нарисуйте, не забыв нарисовать закрытые транзисторы, и подумайте.

Ток течет в обратном направлении через дроссель при открытом трансе нижнего плеча, чем в задаче. Но тогда при быстром закрывании трансов, на дросселе должно возникнуть высокое напряжение в сторону нагрузки. Или я не прав?

Еще раз - нарисуйте схему, обозначьте направление тока, подумайте.

Вообщем закажу донора, пересажу элементы, думаю так будет проще всего, Спасибо всем за познавательные сообщения.