Тут звуки раздавались от всякого рода "знатоков" о "бреде" по поводу влияния электролитов на выходе стабилизатора на процесс выхода из строя ключа. Видимо, такую вещь, как самовозбуждение стабилизатора, они и представить не могли. Если сдох ключ, отработавший до этого не один месяц - считать это событие самопроизвольным можно только не особо представляя себе динамику процесса.
...
По меньшей мере температуру стабилизатора и осциллограммы на ногах я бы посмотрел.
Хорошо... Очень хорошо...
Ну коли вы такое великое светило науки, может приведете хотя-бы приблизительные расчеты процессов, происходящих на выходе линейного компенсационного стабилизатора, работающего на полупроводниковую нелинейную нагрузку при выходе из строя фильтрующей емкости на выходе? С картинками и расчетом тепловыделения в установившемся режиме (тут, похоже, без интегральчика не обойтись), а также с описанием, как именно умирает транзистор. Как вариант, наилучшим образом подходящий для практического исследования, могу предложить смоделировать работу стабилизатора 3.3V - 2.5 V для питания памяти DDR (2 планки по 256Mb, производитель, тайминги работы и организация банков на ваш выбор). Ключевой элемент, скажем, AP15N03H, управляется ОУ с однополярным питанием +12V. Субъективное условие моделирования - конденсатор на выходе не абсолютно дохлый, стабильность системы должна быть не хуже, чем полное прохождение POST с вероятностью 50%, ибо подразумевается, что транзистор выходит из строя в процессе работы системы. Пока все, остальное определится по ходу дела...
Как вам такой вариант? Я обладаю достаточными техническими возможностями для реализации обсчитанного вами режима, и, соответственно, проверки приведенных расчетов. Если вы не предоставите оного, либо предоставленные цифры не будут соответствовать результатам экспериментов, я как модератор выдам вам горчичник, ибо за нереальный базар следует отвечать...
Ну коли вы такое великое светило науки, может приведете хотя-бы приблизительные расчеты процессов, происходящих на выходе линейного компенсационного стабилизатора, работающего на полупроводниковую нелинейную нагрузку при выходе из строя фильтрующей емкости на выходе? С картинками и расчетом тепловыделения в установившемся режиме (тут, похоже, без интегральчика не обойтись), а также с описанием, как именно умирает транзистор. Как вариант, наилучшим образом подходящий для практического исследования, могу предложить смоделировать работу стабилизатора 3.3V - 2.5 V для питания памяти DDR (2 планки по 256Mb, производитель, тайминги работы и организация банков на ваш выбор). Ключевой элемент, скажем, AP15N03H, управляется ОУ с однополярным питанием +12V. Субъективное условие моделирования - конденсатор на выходе не абсолютно дохлый, стабильность системы должна быть не хуже, чем полное прохождение POST с вероятностью 50%, ибо подразумевается, что транзистор выходит из строя в процессе работы системы. Пока все, остальное определится по ходу дела...
Как вам такой вариант? Я обладаю достаточными техническими возможностями для реализации обсчитанного вами режима, и, соответственно, проверки приведенных расчетов. Если вы не предоставите оного, либо предоставленные цифры не будут соответствовать результатам экспериментов, я как модератор выдам вам горчичник, ибо за нереальный базар следует отвечать...