Повышение выходного напряжения, контролируемого w83301r.

Подскажите пожалуйста, какое отношение Ваш вопрос имеет к ремонту материнских плат?
Хотя, судя по самому вопросу, имхо, когда Вы наконец заберетесь с паяльником в материнку, то вопрос как раз будет к месту...
Тему перемещаю, а Вам даю "баранку"...

Теперь встречный вопрос по-существу - а на фига? Память вообще обычно довольно слабо реагирует на повышение напряжения при разгоне, если Вас именно это интересует...

Вовсе нет. Есть память самсунг, которая в силу обстоятельств нормально работает только при 3В. Поднял недавно серию материнок 1000 серии и возник вопрос, собственно КАК сделать вольтмод памяти на данной матери.

Приношу извинения за потенциально не соответствующее место данной теме, но, все-таки это ремонт, как-никак... Из опыта обычно напряжение памяти контролируется ШИМ с контролем напряжения по FB, резистор просчитал, впаял, подкрутил и изменяй, как душе угодно, хоть 4В...

Прошу помощи в моем вопросе, пожалуйста...

2 habl
Ну тогда Вы меня извините, надо было сразу подробнее ситуацию объяснить, тему возвращаю на место...

Поизучал даташит - пока путь вижу только один: попробовать приподнять Vset1 свыше 5V, при этом Vset0 оставить на земле, но, имхо, рискованно это (к тому же, если входы Vset имеют по три устойчивых состояния каждый, подозрения на что возникают из того же мануала, то и бесполезно; однако, если там все же обычный компаратор, то можно и рискнуть)...

ivp, спасибо, буду ждать еще ответов, если ничего не будет, тогда рискну...

2habl

В используемом на плате контроллере w83301r делители обратной связи (слежение за выходным напряжением) находятся внутри микросхемы. Его надо "обмануть", добавив в цепи обратной связи по резистору. Лучше использовать многооборотные подстроечные резисторы на 180-200 ом. (2шт).

Для напряхения питания памяти Vddr это просто, ибо на плате уже есть "обман" - R1246 = 22 ома. Вместо него припаивается один из подстроечников.
В своем экземпляре платы, я заменил его на 150 ом, и получил 2,97в.
Правда, пришлось закоротить диоды D53 и D54 (на них падает около 0.4в), стоящие в параллель, чтобы поднять максимальное выходное напряжение стабилизатора.

Аналогично для Vtddr (терминация памяти). Это напряжение должно быть равно половине напряжения ее питания. Но резистора на плате не предусмотрено, поэтому придется резать дорожку обратной связи, идущую ко 2-му выводу микросхемы (STRsen2), и включать подстроечник в разрыв этой дорожки.
Резать надо аккуратно, чтобы не повредить расположеные рядом дорожки к затворам полевиков.

Перед впаиванием подстроечники выкрутить на минимальное сопротивление.

Далее, включаем (без памяти), и выставляем сначала питание памяти, а затем напряжение терминации.
Для измерений - цифровой мультиметр.

Удачи!

Привет!

Не так давно изучал даташиты на сабж. Если верить вот этому (стр. 4), то я бы лучше рискнул подать +5 вольт на Vset0, чем резать дорожки... или поднимать Vset1 выше 5 вольт.
В этой версии даташита рассмотрены микрухи 20-и и 24-х ногие. Смотрим таблицу и анализируем.
Приподнять, отпаяв аккуратно одну ногу Vset0 можно... хоть и мелкая.
Интересно, какие напряжения будут, если Vset0 оставить в висящей в воздухе?

С уважением, Владимир.

Судя по блок-схеме чипа, которая есть в даташите, можно предположить, что на оба Vset в разомкнутом состоянии подается порядка 2.5V через внутренний делитель - т.е. даже висящая в воздухе нога все равно под неким потенциалом...
Я поэтому и мучался сомнениями, что ж эти входы из себя представляют - компаратор или "нестандартную логику" с 3х2 устойчивыми состояниями...

Поддерживаю Ваше мнение. Я тоже так подумал. Остаётся ждать результатов автора. Очень надеюсь, что положительного...

С уважением, Владимир.

Только что проверил: для Vtddr нужно примерно 250 ом., чтобы получить 1,5в. (замерил номинал после установки нужного напряжения).

Вывод: номинал подстроечных резисторов 270-300 ом.

Дорожку можно и не резать, а поднять 2 вывод микросхемы с платы, и припаять проводок к нему. Не забудьте об изоляции: клей - силикон или термоклей, иначе можт коротнуть висящую в воздухе ногу на соседние...

Вместо R1246 припаял резистор, поднастроил (конечный результат 100 Ом) и напряжение на памяти 2,93В. Все заработало без ошибок на памяти. Теперь с напржением терминации разберусь чисто из интереса, т.к. все нормально работает...