Напряжение на памяти 2,8 В для DDR вполне допустимое значение, и на многих материнках до инициализации чипсета БИОСом так и будет. Погрешность в напряжении терминации (0,05 В) можно списать на измерительный прибор, не критично.
Напряжение на памяти 2,8 В для DDR вполне допустимое значение, и на многих материнках до инициализации чипсета БИОСом так и будет. Погрешность в напряжении терминации (0,05 В) можно списать на измерительный прибор, не критично.