чтобы транзистор открылся надо подавать относительно общего провода напряжение >= U вых +5В
Чёт не совсем правильно, правильно к затвору приложить относительно истока.
По поводу
Цитата:
in this situation, a internal 6.0V regulator will supply to
VCC pin for internal voltage bias
если питаемся от +12В то на Vcc (5-pin) вешается только электролит, а питание осуществляется внутренним стабилизатором на 6В.
По поводу bootstrap - если память не подводит, у нас это называется плавающим потенциалом.
Смысл в чём, когда открыт нижний транзистор ML, С2 правым выводом через него садится в землю, таким образом через диод D1 он заряжается практически до напряжения питания (минус падение на диоде и полевике).
Когда ML закрывается, D1 запирается, правый вывод С2 подключен к истоку MU, и накопленное напряжение на С2 ипользуется внутренним драйвером для управления затвором MU.
В итоге практически теже +5В можно приложить к затвору, если бы небыло такой схемы, то реально к затвору можно было приложить +5В минус Vout (грубо говоря), чего не хватит для нормального открытия MU.
Чёт не совсем правильно, правильно к затвору приложить относительно истока.
По поводу
если питаемся от +12В то на Vcc (5-pin) вешается только электролит, а питание осуществляется внутренним стабилизатором на 6В.
По поводу bootstrap - если память не подводит, у нас это называется плавающим потенциалом.
Смысл в чём, когда открыт нижний транзистор ML, С2 правым выводом через него садится в землю, таким образом через диод D1 он заряжается практически до напряжения питания (минус падение на диоде и полевике).
Когда ML закрывается, D1 запирается, правый вывод С2 подключен к истоку MU, и накопленное напряжение на С2 ипользуется внутренним драйвером для управления затвором MU.
В итоге практически теже +5В можно приложить к затвору, если бы небыло такой схемы, то реально к затвору можно было приложить +5В минус Vout (грубо говоря), чего не хватит для нормального открытия MU.