доказывать не буду. потому как вагонные споры

доказывать не буду. потому как "вагонные споры - последнее дело".
но прокомментирую.
по первому: в даташитах MOSFETa, где нормируются параметры встоенного диода, цифры диода превосходят (грубо говоря) цифры транзистора. мне ближе такой расклад: всегда можно поставить нужные транзисторы, чем городить место под дополнительные диоды.

по второму: в теоритическую основу рассуждений положите такие входные данные - 1.энергия запасенная конденсаторами выходного фильтра много больше энергии, могущей быть запасеной дросселем; 2. Снято дополнительное питание по силовой части преобразователя, контроллер преобразователя продолжает функционировать (запитан,например через шину); важно, что открыт нижний транзистор (возможно, он пробился в кз); 3. при некотором пороге снижающегося напряжения на GPU сопротивление GPU резко возрастает (для полупроводника обычное дело, так сказать); 4. выходные конденсаторы начнут разряжатся через дроссель и открытый транзистор, и далее ток дросселя, текущий в обратном направлении создаст отрицательное напряжение на GPU.
Причем это развитие процесса навскидку, если посидеть подумать, то можно и поболее наворотить как в части начальных условий процесса, так и в самом процессе.
Удачи.