Долгие попытки понять принцип работы MOSFET'а и сопутствующие маразмы

Для примера: напряжение на затворе 12 В, напряжение на истоке 12 В, напряжение на стоке 20 В (все напряжения измерены относительно одной и той же точки, естественно).

Никто не мешает почитать учебники по электронике и электротехнике, а потом еще раз почитать документацию.

Вот этого не понял. Как на стоке будет 20 если на на истоке всего 12 и БП у компа всего 12 В?
Тоесть возможное напряжение между истоком и стоком всего 12. При полностью открытом транзисторе напряжение между истоком и коллектором БП (катодом) будет 12 В. При 50% открытия тоже 12В. А между стоком и катодом БП (в точке между стоком и нагрузкой) 6 В.

Или я не тот ман курил?

А при чем здесь конкретный БП?

У БП уже катод завелся, или новые элементы с истоком и коллектором появились?
Остальное оставлю без комментариев.
Вы сами поняли, что написали?

В БП кажется он (катод) всегда был, это контакт куда собирается заряд. Анод же - контакт с которого заряд раздаётся. Это же всё ещё с египетских пирамид началось. ОД это сила. КАТ и АН два вида силы.
Коллектор это и есть катод. А исток - анод.

Скорее всего мои представления о работе мосфетов неверны. Но я просто смотрел по показаниям тестера.
Там где на затворе было 12 В на истоке и на стоке напряжение было одинаковое. Из чего я делал вывод о том что транзистор полносью открывается когда на затвор подаётся 12 вольт. Ну может это был другой тип транзистора или другая схема включения.
Вобщем быстрого учебника который объяснит сразу и всё на ютубе я не нашёл.

А вообще смысл транзистора в усилении. Тогда на затвор должно подаваться напряжение в меньшем диапазоне чем диапазон проводимости между истоком и стоком. На практике это похоже не так. Получается на затвор должно подаваться напряжение исходя из разницы напряжений исток-сток и общего их уровня?

Нда, маразм крепчал, деревья гнулись (c) .

Без особых проблем - charge pump. На некоторых матплатах реально использовались компоненты, которые позволяли получать напряжения примерно в 2 раза больше напряжений, поступающих от БП. Естественно, подобные конструкции использовались в цепях управления.

Забавный бред .

Найти и почитать учебник в текстовом виде автор явно не догадался . Надо будет выпустить пару учебников в виде комиксов - для подобных "ремонтников".

Хорошо заметно, что автору лень читать учебники и думать.

P.S. Минздрав предупреждает: курение — это яд (c) .

В текстовом виде тоже самое.

да хоть в виде игральных карт. Главное чтобы правильно объяснялось.

Но если бы конкретно указали на учебник по мосфетам, то это было бы хорошо.

Это как учебник по языку C. Книг много а толку мало.

----------------

Ну начал понимать что Gate-Source Voltage +/- 25 В говорит о накачке изолированного гейта.
Если подавался бы минус то гейт разряжался и проводимость должна снижаться.
А если подаётся плюс то гейт заряжается и проводимость должна увеличиваться.

Значит если напряжение по максимуму - почти 12 В, а "вентиль линейника" всё ещё не открылся - в этом проблема?

А обычные учебники, которые описывают не только MOSFET'ы, вам читать совсем лень ?

И попробуйте научиться внятному формулированию своих мыслей. Хотя формулировать свои мысли вам стоит после прочтения учебников.

проблема, увы, в том, что у Вас нет базовых знаний, чтобы начать простейший анализ электрических цепей... т.е. решать прикладные задачки диагностики Вы, пока что, можете только по "перфокартам". и вот Вам совет: категорически воздержитесь от просьб (на ромбе / других форумах / у друзей / знакомых / прохожих) пробить Вам готовую перфокарту под конкретный практический случай. это закономерно вызовет лишь насмешки и издевательства с отсылом почитать и подумать. поэтому, сударь с вызывающим ником, садитесь лучше за учебники и нарабатывайте себе базис, а клоунаду и без Вас есть кому устраивать...

То есть даже K&R уже стал плохим учебником?

Как Вы умудрились прямо сравниваить напряжение и проводимость??!
У транзисторов есть множество применений, но к данной Вашей цитате - усиление
тока (очень высокое в данном случае) Вы совсем не хотите учитывать?

А Вы наверно про этот MEM?
rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=4672820
Жаль занудные модеры весь троллинг удалили.
Было бы забавно почитать оригинальный пост.

ник нормальный. ремонтирую компы весьма успешно заменой комплектующих не прибегая ни к тестеру ни к каким либо сложным методам диагностики. мне просто очень плохо понятна электроника.
Часто просто жарю в печке или на прожекторе отпавшие чипы. - помогает в 95% случаев.

Я не понимаю что значит "базовых знаний".

Вот этих знаний должно быть достаточно:
sxemotehnika.ru/zhurnal/kak-proverit-polevoi-mop-mosfet-tranzistor-tcifrov...
Иначе зачем такие странички делают?

Чем больше поле создаётся на гейтом, тем больше должна быть проводимость мосфета.
Но какое напряжение нужно подать на гейт чтобы канал сорс-дрейн полностью открылся - не сказано нигде.

Может мне нужны какието другие "базовые знания"

Ток усиливается при повышении напряжения. Цепь с нулевым сопротивлением может пропускать бесконечные апмеры. ещё пока не понял о чём Вы говорите. перечитаю позже.