Поясните, что Вас не удовлетворяет в моем

Я не говорю о типах нагревателей - воздух, ИК. И тем более о производителях. Кстати, Pace делает с ИК нагревателями. Я имею ввиду ваш взгляд на это:

Наверное хорошо загонять горячий воздух под чип. А может и без пользы. Вы когда термовоздушкой выпаиваете что-то (например разъем, крупную макросхему), пока все , в том числе и чип и участок платы не прогреете - деталь не снимете. Это я к тому, что невозможно расплавить шары не нагревая чип. Хотя и соглашусь, с тем, что при нагреве шаров примерно до 230*С (безсвинец) кристал может нагреться до 240-250*С. И его бы хорошо накрыть фольгой. Но если чип нормальный, он должен уверенно выдержать нагрев до 260*С. Как с этим делом на станциях с термовоздушным верхом - не скажу, нет практики. Да и вообще изготовить станцию на термовоздушном верхе сложнее, так как приходится учитывать две составляющие: воздушный поток и тепло. ИК предпочтительнее для самодельщиков, легче и дешевле добиться хороших результатов.