Так это что гигабайт при включении формирует 1.8В

13 Мар 2017 - 14:59
Два предупреждения >> 474 >> 0.35

Так это что гигабайт при включении формирует 1.8В для питания памяти а потом из них формирует 1.5В для мостов? А как он дальше напряжением на памяти будет управлять? На мостах оно ж скакать будет.
Или после перезагрузки всё устаканивается? эммм....
Ну наверно память ещё не дошла до динамической подстройки напряжения...

Долгие попытки понять принцип работы MOSFET'а и сопутствующие маразмы
  • Да что Вы прицепились к этому предельному
  • А ну это да. Будет от до
  • Мне чего-то кажется, что это не единственное
  • Не только, параметров много.
  • В зависимости от поведения мостов? Меня смущает то
  • Опять real-comp-master не смог прочитать
  • А что типа если я подниму напругу
  • И не только Gigabyte :).
  • Так это что гигабайт при включении формирует 1.8В
  • СМ и ЮМ. Отлично
  • померял такойже power mosfet q287 gate 11.50 source 0.53 drain 0.53 его
  • Какой ужас :), все пропало -
  • Представляете, не хватит!!! (теперь уже совсем запутался
  • Для особо глупых :): VGS(max)=25V; VGS(min)=-25V; VGS(th)
  • указано Gate-to-Source Voltage +- 25В Gate Threshold Voltage 1 В Если
  • Мягко говоря, неправильно. VGS - это
  • Здесь http://go-radio.ru/parametri-mosfet-transistorov.html говорится VGS (Gate-to-Source Voltage) – напряжение насыщения
  • М-да, шЫдевр. В идеальном усилителе тока с
  • Если бы вы внимательно
  • А Вы наверно про этот MEM? https://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=4672820 Жаль занудные
  • То есть даже K&R уже стал плохим
  • проблема, увы, в том, что у Вас
  • А обычные учебники, которые описывают не
  • В текстовом виде тоже самое. да хоть
  • Нда, маразм крепчал, деревья гнулись (c)
  • В БП кажется он (катод) всегда был, это
  • А при чем здесь конкретный БП? У
  • Вот этого не понял. Как на стоке
  • Для примера: напряжение на затворе 12