Солидарен с Serzh - ну, никак не пойму как это прогрев пропайка без флюса получается лучше, чем прогрев с флюсом. У меня статистика ровно обратная - с флюсом лучшее получается.
Георг, а ведь все просто...
Дело в том, "что" пропаивать...
Если мы пропаиваем соединение подложки чипа с платой - все понятно. Флюс + оборудование + термопрофиль = идеальный результат. Даже без флюса некоторые умудряются паять, и что-то из этого получается. Кроме того, иногда остается часть производственного неотмытого флюса, которая тоже, худо-бедно, но что-то делает...
Но если мы реально пропаиваем "то самое" flip chip соединение кристалла с подложкой, которому, собственно, и посвящена эта тема, тогда как? Ведь в таком случае пайка под чипом в норме, прогрев хоть с флюсом, хоть даже без него ее особо не изменит, а в соединение кристалла с подложкой флюс никак не попадает... Да и нужен ли он там вообще?
В том то все и дело, что при пропайке (тогда уж, вернее, при прогреве) соединения внутри чипа мы совершенно ничего не знаем о происходящих там процессах и влиянии на них нагрева, и по старинке подходим к ним с нормами для пайки самого чипа к плате. Мы используем флюсы, оборудование, термопрофили, режимы, дающие нам наилучший результат "под чипом", но ведь мы совершенно не знаем, как эти режимы влияют на истинную проблему внутри чипа!
А ведь возможно скорость нагрева, или охлаждения, а может максимальная температура или время ее выдержки и дает то противоречие, когда при худшем, нелогичном или просто безграмотном подходе получаются лучшие результаты...
Пора начинать отрабатывать термопрофили для восстановления чипов от nForce?
P.S. Кстати, смех смехом, а ведь давно было подмечено (особенно ремонтниками ноутов), что в таких случаях реболлинг дает более длительные результаты, чем обычный прогрев. Тогда все нещадно списывали на окислы, но об этом позже...
Дело в том, "что" пропаивать...
Если мы пропаиваем соединение подложки чипа с платой - все понятно. Флюс + оборудование + термопрофиль = идеальный результат. Даже без флюса некоторые умудряются паять, и что-то из этого получается. Кроме того, иногда остается часть производственного неотмытого флюса, которая тоже, худо-бедно, но что-то делает...
Но если мы реально пропаиваем "то самое" flip chip соединение кристалла с подложкой, которому, собственно, и посвящена эта тема, тогда как? Ведь в таком случае пайка под чипом в норме, прогрев хоть с флюсом, хоть даже без него ее особо не изменит, а в соединение кристалла с подложкой флюс никак не попадает... Да и нужен ли он там вообще?
В том то все и дело, что при пропайке (тогда уж, вернее, при прогреве) соединения внутри чипа мы совершенно ничего не знаем о происходящих там процессах и влиянии на них нагрева, и по старинке подходим к ним с нормами для пайки самого чипа к плате. Мы используем флюсы, оборудование, термопрофили, режимы, дающие нам наилучший результат "под чипом", но ведь мы совершенно не знаем, как эти режимы влияют на истинную проблему внутри чипа!
А ведь возможно скорость нагрева, или охлаждения, а может максимальная температура или время ее выдержки и дает то противоречие, когда при худшем, нелогичном или просто безграмотном подходе получаются лучшие результаты...
Пора начинать отрабатывать термопрофили для восстановления чипов от nForce?
P.S. Кстати, смех смехом, а ведь давно было подмечено (особенно ремонтниками ноутов), что в таких случаях реболлинг дает более длительные результаты, чем обычный прогрев. Тогда все нещадно списывали на окислы, но об этом позже...