По простому говоря, длина провода спирали бОльшей мощности будет длиннее провода спирали меньшей мощности. Поверхность излучения соответственно больше. И по этому чтобы излучать одинаковое количества тепла нагревателю с бОльшей площадью излучения нужна меньшая температура, чем нагревателю с меньшей площадью.
Nhlm0 писал(-а):
Цитата:
Не для форсированного разогрева будет безусловно меньше. Ваши исходные данные?
VladSko писал(-а):
Цитата:
Размер верхнего излучателя 6х8см. 6х8х15=720Вт. Вы считаете этого мало?
Этого достаточно. Но достаточно не означает лучше. Я стремлюсь к максимально возможному понижению температуры нагревателя. Всунул бы еще более мощную спираль, но тут банально не позволяет физические размеры самого нагревателя. Я работал и с 250 Вт верхом. Паялось, но назвать процесс оптимальным не могу. Нужно опускать верх максимально близко к чипу, что в свою очередь требует высокой равномерности нагрева и к тому не всегда удобно. И растягивать время термопрофиля, что тоже не совсем верно.
Nhlm0 писал(-а):
Цитата:
Какое значение параметра rEG.t у вашего регулятора?
Я не использую регулятор вообще.
Nhlm0 писал(-а):
Цитата:
Какое значение параметра bPS у вашего TPM151?
Откуда можно скачать и глянуть на термопрофили вашего TPM151 для свинцовой и безсвинцовой пайки?
Дамп настроек вашего TPM151 где-нибудь в открытом доступе есть?
Если нет - прошу выложить, наверное будет интересно и не только мне.
По порядку.
Даже не знаю. Как было по умолчанию так и осталось.
Я выкладывал не раз таблицы своих профилей. Как с использованием ПИД регуляторов, так и для работы по мощности. Не для копирования, а для понимания процесса. Где искать не скажу, не помню. К тому же они постоянно корректировались, т.е. мои текущие уже могут быть другими. Но сознаюсь, работаю сейчас на одном профиле. Упор делался на максимально "нежное" воздействие на чип и плату в допустимых временных рамках. Результат вполне устраивает.
Не выложу, так как это не только бесполезно, но и вредно. Термопрофили по мощности нужно подбирать и оптимизировать конкретно под свою станцию.
Nhlm0 писал(-а):
По простому говоря, длина провода спирали бОльшей мощности будет длиннее провода спирали меньшей мощности. Поверхность излучения соответственно больше. И по этому чтобы излучать одинаковое количества тепла нагревателю с бОльшей площадью излучения нужна меньшая температура, чем нагревателю с меньшей площадью.
Nhlm0 писал(-а):
VladSko писал(-а):
Этого достаточно. Но достаточно не означает лучше. Я стремлюсь к максимально возможному понижению температуры нагревателя. Всунул бы еще более мощную спираль, но тут банально не позволяет физические размеры самого нагревателя. Я работал и с 250 Вт верхом. Паялось, но назвать процесс оптимальным не могу. Нужно опускать верх максимально близко к чипу, что в свою очередь требует высокой равномерности нагрева и к тому не всегда удобно. И растягивать время термопрофиля, что тоже не совсем верно.
Nhlm0 писал(-а):
Я не использую регулятор вообще.
Nhlm0 писал(-а):
По порядку.
Даже не знаю. Как было по умолчанию так и осталось.
Я выкладывал не раз таблицы своих профилей. Как с использованием ПИД регуляторов, так и для работы по мощности. Не для копирования, а для понимания процесса. Где искать не скажу, не помню. К тому же они постоянно корректировались, т.е. мои текущие уже могут быть другими. Но сознаюсь, работаю сейчас на одном профиле. Упор делался на максимально "нежное" воздействие на чип и плату в допустимых временных рамках. Результат вполне устраивает.
Не выложу, так как это не только бесполезно, но и вредно. Термопрофили по мощности нужно подбирать и оптимизировать конкретно под свою станцию.